BS2103F-E2

Numéro de produit DigiKey
BS2103F-E2TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BS2103F-E2
Description
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
Référence client
Description détaillée
Demi-pont Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion 8-SOP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
BS2103F-E2 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Rohm Semiconductor
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Programmable DigiKey
Non vérifié
Configuration
Demi-pont
Type de canal
Indépendant
Nombre de circuits d'attaque
2
Type de grille
IGBT, MOSFET à canal N
Tension - Alimentation
10V ~ 18V
Tension logique - VIL, VIH
1V, 2,6V
Courant - Sortie de crête (source, absorption)
60 mA, 130 mA
Type d'entrée
Sans inversion
Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice)
600 V
Temps de montée / descente (typ.)
200ns, 100ns
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-SOIC (0,173po, 4,40mm de largeur)
Boîtier fournisseur
8-SOP
Numéro de produit de base