IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IPP120N10S403AKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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IPP120N10S403AKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP120N10S403AKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP120N10S403AKSA1
Description	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,9mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 180µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10120 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3-1
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP120