Canal N 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
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FQPF19N20

Numéro de produit DigiKey
2156-FQPF19N20-ND
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
FQPF19N20
Description
MOSFET N-CH 200V 11.8A TO220F
Référence client
Description détaillée
Canal N 200 V 11,8 A (Tc) 50W (Tc) Trou traversant TO-220F-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Fairchild Semiconductor
Série
QFET®
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
150mohms à 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1600 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220F-3
Boîtier
Boîtier complet TO-220-3
Questions et réponses sur les produits

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Non annulable/Non remboursable
PRODUIT MARKETPLACE
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Quantité
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