FDP8874 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

FDP8874 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Similaire

Rochester Electronics, LLC

En stock: 1 939

Prix unitaire : 0,78015 €

Similaire

Vishay Siliconix

En stock: 48 321

Prix unitaire : 0,80000 €

Similaire

Infineon Technologies

En stock: 1 015

Prix unitaire : 1,20000 €

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

FDP8874
Numéro de produit DigiKey	FDP8874FS-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDP8874
Description	MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 16 A (Ta), 114 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant TO-220-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	16 A (Ta), 114 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,3mohms à 40A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3130 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	FDP88