



TPH3208LD | |
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Numéro de produit DigiKey   | TPH3208LD-ND  | 
Fabricant   | |
Numéro de produit du fabricant   | TPH3208LD  | 
Description  | GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN  | 
Référence client   | |
Description détaillée  | Canal N 650 V 20 A (Tc) 96W (Tc) Montage en surface 4-PQFN (8x8)  | 
Fiche technique  | Fiche technique | 
Type   | Description  | Tout sélectionner  | 
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Catégorie  | ||
Fabricant  | ||
Série  | -  | |
Conditionnement  | Tube  | |
Statut du composant  | Obsolète  | |
Type de FET  | ||
Technologies  | ||
Tension drain-source (Vdss)  | 650 V  | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C  | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)  | 10V  | |
Rds On (max.) à Id, Vgs  | 130mohms à 13A, 8V  | |
Vgs(th) (max.) à Id  | 2,6V à 300µA  | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs  | 14 nC @ 8 V  | |
Vgs (max.)  | ±18V  | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds  | 760 pF @ 400 V  | |
Fonction FET  | -  | |
Dissipation de puissance (max.)  | 96W (Tc)  | |
Température de fonctionnement  | -55°C ~ 150°C (TJ)  | |
Grade  | -  | |
Qualification  | -  | |
Type de montage  | Montage en surface  | |
Boîtier fournisseur  | 4-PQFN (8x8)  | |
Boîtier  | 



