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TPH3205WSB | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TPH3205WSB-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TPH3205WSB |
Description | GANFET N-CH 650V 36A TO247-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 36 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-247-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 700µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42 nC @ 8 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±18V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2200 pF @ 400 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247-3 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 60mohms à 22A, 8V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TP65H050WS | Renesas Electronics Corporation | 358 | TP65H050WS-ND | 17,07000 € | Similaire |
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5 072 | 238-IXFH60N65X2-ND | 11,76000 € | Similaire |
| SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Siliconix | 405 | SIHG47N60AE-GE3-ND | 8,01000 € | Similaire |
| STW62N65M5 | STMicroelectronics | 590 | 497-STW62N65M5-ND | 12,24000 € | Similaire |
| TK39N60X,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK39N60XS1F-ND | 8,92000 € | Similaire |








