Name: TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PQS-TR-ND
Price: 10.8 EUR
Availability: InStock

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TP65H030G4PQS-TR
Numéro de produit DigiKey	1707-TP65H030G4PQS-TR-ND - Bande et bobine 1707-TP65H030G4PQS-TRCT-ND - Bande coupée (CT) 1707-TP65H030G4PQS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	TP65H030G4PQS-TR
Description	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 55,7A (Tc) 192W (Tc) Montage en surface TOLL
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,8V à 1mA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24.5 nC @ 12 V
Série SuperGaN®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1500 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 192W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur TOLL
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 55,7A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 12V	Numéro de produit de base TP65H030
Rds On (max.) à Id, Vgs 41mohms à 30A, 12V