Name: ISL55110IRZ-T
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 20-ISL55110IRZ-TTR-ND
Price: 3.36 EUR
Availability: InStock

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ISL55110IRZ-T
Numéro de produit DigiKey	20-ISL55110IRZ-TTR-ND - Bande et bobine 20-ISL55110IRZ-TCT-ND - Bande coupée (CT) 20-ISL55110IRZ-TDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	ISL55110IRZ-T
Description	IC HALF BRIDGE DRVR 100MA 16QFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Demi-pont (2) Circuit d’attaque Imagerie numérique MOSFET de puissance 16-QFN (4x4)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	ISL55110IRZ-T Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque en demi-pont (pont en H), pont complet	Courant - Sortie / canal 100mA
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Courant - Sortie de crête 3,5A
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Tension - Alimentation 2,7V ~ 5,5V
Statut du composant Actif	Tension - Charge 5V ~ 13,2V
Configuration de sortie Demi-pont (2)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Applications Imagerie numérique	Type de montage Montage en surface
Interface Logique	Boîtier 16-TFQFN plot exposé
Type de charge Capacitif et résistif	Boîtier fournisseur 16-QFN (4x4)
Technologies MOSFET de puissance	Numéro de produit de base ISL55110
Rds On (typ.) 3ohms

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Documents et supports

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