2SK1317-E Renesas Electronics Corporation | FET, MOSFET simples

2SK1317-E est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

2SK1317-E
Numéro de produit DigiKey	2SK1317-E-ND
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	2SK1317-E
Description	MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Référence client
Description détaillée	Canal N 1500 V 2,5 A (Ta) 100W (Tc) Trou traversant TO-3P
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2SK1317-E Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 12ohms à 2A, 15V
Fabricant Renesas Electronics Corporation	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 990 pF @ 10 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 1500 V	Boîtier fournisseur TO-3P
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5 A (Ta)	Boîtier TO-3P-3, SC-65-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V	Numéro de produit de base 2SK1317