Name: PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1TR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: InStock

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PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Numéro de produit DigiKey	3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1TR-ND - Bande et bobine 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1CT-ND - Bande coupée (CT) 3757-PJQ4476AP-AU_R2_000A1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJQ4476AP-AU_R2_000A1
Description	100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 6,3A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 62W (Tc) Montage en surface DFN3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Panjit International Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,3A (Ta), 35A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1519 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 62W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DFN3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	PJQ4476