Name: PJD80N03_L2_00001
Brand: Panjit International Inc.
SKU: 3757-PJD80N03_L2_00001TR-ND
Price: 0.24512 EUR
Availability: OutOfStock

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PJD80N03_L2_00001
Numéro de produit DigiKey	3757-PJD80N03_L2_00001TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Panjit International Inc.
Numéro de produit du fabricant	PJD80N03_L2_00001
Description	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	52 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 15 A (Ta), 80 A (Tc) 2W (Ta), 55W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Panjit International Inc.
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	15 A (Ta), 80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1323 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2W (Ta), 55W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	PJD80

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,20427 €	612,81 €
6 000	0,18815 €	1 128,90 €
9 000	0,17994 €	1 619,46 €
15 000	0,17071 €	2 560,65 €
21 000	0,16589 €	3 483,69 €