Name: NXH100B120H3Q0PTG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH100B120H3Q0PTG-ND
Price: 72.012 EUR
Availability: InStock

IGBT Module À tranchées à champ limité 2 indépendantes 1200 V 50 A 186 W Montage sur châssis 22-PIM (55x32,5)

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NXH100B120H3Q0PTG
Numéro de produit DigiKey	5556-NXH100B120H3Q0PTG-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NXH100B120H3Q0PTG
Description	IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	IGBT Module À tranchées à champ limité 2 indépendantes 1200 V 50 A 186 W Montage sur châssis 22-PIM (55x32,5)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT Modules IGBT	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 200 µA
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Cies) à Vce 9.075 nF @ 20 V
Conditionnement Plateau	Entrée Standard
Statut du composant Actif	Thermistance CTN Non
Type d'IGBT À tranchées à champ limité	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 indépendantes	Type de montage Montage sur châssis
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 1200 V	Boîtier Module
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 50 A	Boîtier fournisseur 22-PIM (55x32,5)
Puissance - Max. 186 W	Numéro de produit de base NXH100
Vce(on) (max.) à Vge, Ic 2,3V à 15V, 50A

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NXH100B120H3Q0STG	onsemi	23	5556-NXH100B120H3Q0STG-ND	56,27000 €	Équivalent paramétrique

En stock: 22

Stock usine : 144

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Plateau

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	60,01000 €	60,01 €
24	43,54583 €	1 045,10 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.