
NXH015F120M3F1PTG | |
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Numéro de produit DigiKey | 488-NXH015F120M3F1PTG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXH015F120M3F1PTG |
Description | SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Montage sur châssis 22-PIM (33,8x42,5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | onsemi | |
Série | - | |
Conditionnement | Plateau | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | Carbure de silicium (SiC) | |
Configuration | 4 canaux N (pont complet) | |
Fonction FET | Mode de déplétion | |
Tension drain-source (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 77 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19mohms à 60A, 18V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4,4V à 30mA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 211nC à 18V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4696pF à 800V | |
Puissance - Max. | 198W (Tj) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage sur châssis | |
Boîtier | Module | |
Boîtier fournisseur | 22-PIM (33,8x42,5) | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 58,79000 € | 58,79 € |
| 28 | 44,91250 € | 1 257,55 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 58,79000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 70,54800 € |




