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NXH015F120M3F1PTG

Numéro de produit DigiKey
488-NXH015F120M3F1PTG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXH015F120M3F1PTG
Description
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE ELI
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 77 A (Tc) 198W (Tj) Montage sur châssis 22-PIM (33,8x42,5)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Plateau
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Fonction FET
Mode de déplétion
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
77 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
19mohms à 60A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 30mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
211nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4696pF à 800V
Puissance - Max.
198W (Tj)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
22-PIM (33,8x42,5)
Numéro de produit de base
Questions et réponses sur les produits

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En stock: 25
Stock usine : 84
En raison de contraintes d'approvisionnement temporaires, DigiKey ne peut actuellement pas accepter les livraisons différées.
Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
158,79000 €58,79 €
2844,91250 €1 257,55 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:58,79000 €
Prix unitaire avec TVA:70,54800 €