MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 400A (Tj) 1000W (Tj) Trou traversant AHPM15-CDE
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NVVR26A120M1WSB

Numéro de produit DigiKey
5556-NVVR26A120M1WSB-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NVVR26A120M1WSB
Description
MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
21 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 400A (Tj) 1000W (Tj) Trou traversant AHPM15-CDE
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
400A (Tj)
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,6mohms à 400A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
3,2V à 150mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1750nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
31700pF à 800V
Puissance - Max.
1000W (Tj)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier
Module 15-PowerDIP (2,441po, 62,00mm)
Boîtier fournisseur
AHPM15-CDE
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1332,00000 €332,00 €
12325,11833 €3 901,42 €
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:332,00000 €
Prix unitaire avec TVA:398,40000 €