Name: NVMFS6H801NT1G
Brand: onsemi
SKU: NVMFS6H801NT1GOSTR-ND
Price: 3.252 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NVMFS6H801NT1G
Numéro de produit DigiKey	NVMFS6H801NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NVMFS6H801NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NVMFS6H801NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFS6H801NT1G
Description	MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 23 A (Ta), 157 A (Tc) 3,8W (Ta), 166W (Tc) Montage en surface 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	23 A (Ta), 157 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	64 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4120 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 166W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Boîtier	8-PowerTDFN, 5 sorties
Numéro de produit de base	NVMFS6