Name: NVMFD5C650NLET1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND
Price: 3.048 EUR
Availability: InStock

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NVMFD5C650NLET1G
Numéro de produit DigiKey	488-NVMFD5C650NLET1GTR-ND - Bande et bobine 488-NVMFD5C650NLET1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NVMFD5C650NLET1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NVMFD5C650NLET1G
Description	T6 60V LL S08FL DS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	31 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 21 A (Ta), 111 A (Tc) 3,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 37nC à 10V
Fabricant onsemi	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2546pF à 25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 3,5W (Ta), 125W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Configuration 2 canaux N	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21 A (Ta), 111 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,2mohms à 20A, 10V	Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 98µA	Numéro de produit de base NVMFD5