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NTZD5110NT1G
onsemi
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Fiche technique
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MOSFET - Matrices 60V 294mA 250mW Montage en surface SOT-563
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NTZD5110NT5G

Numéro de produit DigiKey
NTZD5110NT5G-ND - Bande et bobine
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
NTZD5110NT5G
Description
MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 294mA 250mW Montage en surface SOT-563
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTZD5110NT5G Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
294mA
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0,7nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
24,5pF à 20V
Puissance - Max.
250mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur
SOT-563
Numéro de produit de base
NTZD5110
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Obsolète
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