Name: NTZD5110NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTZD5110NT1GOSTR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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NTZD5110NT1G
Numéro de produit DigiKey	NTZD5110NT1GOSTR-ND - Bande et bobine NTZD5110NT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTZD5110NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTZD5110NT1G
Description	MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 60V 294mA 250mW Montage en surface SOT-563
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTZD5110NT1G Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	294mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,6ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,7nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	24,5pF à 20V
Puissance - Max.	250mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur	SOT-563
Numéro de produit de base	NTZD5110

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