Name: NTJD4152PT2G
Brand: onsemi
SKU: NTJD4152PT2GOSTR-ND
Price: 0.456 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

NTJD4152PT2G
Numéro de produit DigiKey	NTJD4152PT2GOSTR-ND - Bande et bobine NTJD4152PT2GOSCT-ND - Bande coupée (CT) NTJD4152PT2GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTJD4152PT2G
Description	MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 880mA 272mW Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NTJD4152PT2G Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1,2V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2,2nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 155pF à 20V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 272mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux P (double)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 880mA	Boîtier fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Rds On (max.) à Id, Vgs 260mohms à 880mA, 4,5V	Numéro de produit de base NTJD4152