NTHD4102PT3G est obsolète et n'est plus fabriqué.
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onsemi
En stock: 19 585
Prix unitaire : 1,42000 €
Fiche technique

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Nexperia USA Inc.
En stock: 0
Prix unitaire : 0,21000 €
Fiche technique
MOSFET - Matrices 20V 2,9A 1,1W Montage en surface ChipFET™
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NTHD4102PT3G

Numéro de produit DigiKey
NTHD4102PT3G-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTHD4102PT3G
Description
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 20V 2,9A 1,1W Montage en surface ChipFET™
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTHD4102PT3G Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1,5V à 250µA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
8,6nC à 4,5V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
750pF à 16V
Statut du composant
Obsolète
Puissance - Max.
1,1W
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration
2 canaux P (double)
Type de montage
Montage en surface
Fonction FET
Porte de niveau logique
Boîtier
8-SMD, broches plates
Tension drain-source (Vdss)
20V
Boîtier fournisseur
ChipFET™
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,9A
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
80mohms à 2,9A, 4,5V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (2)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
NTHD4102PT1Gonsemi19 585NTHD4102PT1GOSCT-ND1,42000 €Similaire
NX7002AKS,115Nexperia USA Inc.01727-1291-1-ND0,21000 €Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable