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Fiche technique

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NTH027N65S3F_F155

Numéro de produit DigiKey
NTH027N65S3F_F155-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NTH027N65S3F_F155
Description
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
NTH027N65S3F_F155 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
27,4mohms à 35A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
5V à 7,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
259 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7690 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
595W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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