NTHL1000N170M1 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTHL1000N170M1
Numéro de produit DigiKey	5556-NTHL1000N170M1-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHL1000N170M1
Description	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 4,2 A (Tc) 48W Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,43ohms à 2A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4,3V à 640µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	150 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	48W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3