Name: NSVTB60BDW1T1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVTB60BDW1T1GTR-ND
Price: 0.552 EUR
Availability: InStock

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NSVTB60BDW1T1G
Numéro de produit DigiKey	488-NSVTB60BDW1T1GTR-ND - Bande et bobine 488-NSVTB60BDW1T1GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NSVTB60BDW1T1GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSVTB60BDW1T1G
Description	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 250mW Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSVTB60BDW1T1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires, prépolarisés	Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 5mA, 10mA / 500mV à 5mA, 50mA
Fabricant onsemi	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 250mW
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Qualification AEC-Q101
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 150mA	Type de montage Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Résistance - Base (R1) 22kohms	Boîtier fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Résistance - Base d'émetteur (R2) 47kohms	Numéro de produit de base TB60
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 80 à 5mA, 10V / 120 à 5mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 1 875

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	0,09647 €	289,41 €
6 000	0,08770 €	526,20 €

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	0,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,55200 €

NSVTB60BDW1T1G