Name: NSVMUN5312DW1T3G
Brand: onsemi
SKU: 488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND
Price: 0.288 EUR
Availability: InStock

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NSVMUN5312DW1T3G
Numéro de produit DigiKey	488-NSVMUN5312DW1T3GTR-ND - Bande et bobine 488-NSVMUN5312DW1T3GCT-ND - Bande coupée (CT) 488-NSVMUN5312DW1T3GDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NSVMUN5312DW1T3G
Description	TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	43 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices prépolarisés 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double) 50V 100mA 250mW Montage en surface SC-88/SC70-6/SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	NSVMUN5312DW1T3G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires, prépolarisés	Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 250mV à 300µA, 10mA
Fabricant onsemi	Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500nA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 250mW
Statut du composant Actif	Grade Automobile
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Prépolarisé (double)	Qualification AEC-Q101
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA	Type de montage Montage en surface
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 50V	Boîtier 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Résistance - Base (R1) 22kohms	Boîtier fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
Résistance - Base d'émetteur (R2) 22kohms	Numéro de produit de base MUN5312
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 60 à 5mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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