Name: MMBTA14LT1G
Brand: onsemi
SKU: MMBTA14LT1GOSTR-ND
Price: 0.216 EUR
Availability: InStock

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MMBTA14LT1G
Numéro de produit DigiKey	MMBTA14LT1GOSTR-ND - Bande et bobine MMBTA14LT1GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MMBTA14LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MMBTA14LT1G
Description	TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	44 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 30 V 300 mA 125MHz 225 mW Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MMBTA14LT1G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 20000 à 100mA, 5V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 225 mW
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 125MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor NPN - Darlington	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 300 mA	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 30 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1,5V à 100µA, 100mA	Numéro de produit de base MMBTA14
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100 nA (ICBO)