Name: MJD5731T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD5731T4GOSTR-ND
Price: 1.188 EUR
Availability: InStock

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MJD5731T4G
Numéro de produit DigiKey	MJD5731T4GOSTR-ND - Bande et bobine MJD5731T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MJD5731T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MJD5731T4G
Description	TRANS PNP 350V 1A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 350 V 1 A 10MHz 1.56 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 30 à 300mA, 10V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 1.56 W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 10MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 1 A	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 350 V	Boîtier fournisseur DPAK
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1V à 200mA, 1A	Numéro de produit de base MJD5731
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 100µA