Name: MJD41CT4G
Brand: onsemi
SKU: MJD41CT4GOSTR-ND
Price: 1.284 EUR
Availability: InStock

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MJD41CT4G
Numéro de produit DigiKey	MJD41CT4GOSTR-ND - Bande et bobine MJD41CT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MJD41CT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MJD41CT4G
Description	TRANS NPN 100V 6A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	19 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MJD41CT4G Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 15 à 3A, 4V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 1.75 W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 3MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor NPN	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 6 A	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 100 V	Boîtier fournisseur DPAK
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1,5V à 600mA, 6A	Numéro de produit de base MJD41
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 50µA