Name: MJD32CT4G
Brand: onsemi
SKU: MJD32CT4GOSTR-ND
Price: 1.068 EUR
Availability: InStock

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MJD32CT4G
Numéro de produit DigiKey	MJD32CT4GOSTR-ND - Bande et bobine MJD32CT4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MJD32CT4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MJD32CT4G
Description	TRANS PNP 100V 3A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples PNP 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 10 à 3A, 4V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 1.56 W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 3MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 3 A	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 100 V	Boîtier fournisseur DPAK
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 1,2V à 375mA, 3A	Numéro de produit de base MJD32
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 50µA