Name: MJD122T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD122T4GOSTR-ND
Price: 1.476 EUR
Availability: InStock

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MJD122T4G
Numéro de produit DigiKey	MJD122T4GOSTR-ND - Bande et bobine MJD122T4GOSCT-ND - Bande coupée (CT) MJD122T4GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	MJD122T4G
Description	TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN - Darlington 100 V 8 A 4MHz 1.75 W Montage en surface DPAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	MJD122T4G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Transistors bipolaires simples	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 4A, 4V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 1.75 W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Fréquence - Transition 4MHz
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor NPN - Darlington	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 8 A	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 100 V	Boîtier fournisseur DPAK
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 4V à 80mA, 8A	Numéro de produit de base MJD122
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 10µA