HUF76629D3 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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HUF76629D3
Numéro de produit DigiKey	HUF76629D3-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HUF76629D3
Description	MOSFET N-CH 100V 20A IPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 20 A (Tc) 110W (Tc) Trou traversant IPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UltraFET™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	52mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	46 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1285 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	110W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	IPAK
Boîtier	TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base	HUF76