Name: HGT1S10N120BNST
Brand: onsemi
SKU: HGT1S10N120BNSTTR-ND
Price: 5.364 EUR
Availability: InStock

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HGT1S10N120BNST
Numéro de produit DigiKey	HGT1S10N120BNSTTR-ND - Bande et bobine HGT1S10N120BNSTCT-ND - Bande coupée (CT) HGT1S10N120BNSTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	HGT1S10N120BNST
Description	IGBT NPT 1200V 35A TO-263
Référence client
Description détaillée	IGBT NPT 1200 V 35 A 298 W Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors IGBT IGBT simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type d'IGBT	NPT
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)	1200 V
Courant - Collecteur (Ic) (max.)	35 A
Courant - Impulsion collecteur (Icm)	80 A
Vce(on) (max.) à Vge, Ic	2,7V à 15V, 10A
Puissance - Max.	298 W
Énergie de commutation	320µJ (marche), 800µJ (arrêt)
Type d'entrée	Standard
Charge de grille	100 nC
Td (on/off) à 25°C	23ns/165ns
Condition de test	960V, 10A, 10ohms, 15V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Numéro de produit de base	HGT1S10