FFSH20120A-F155 onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FFSH20120A-F155
Numéro de produit DigiKey	488-FFSH20120A-F155-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FFSH20120A-F155
Description	DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Référence client
Description détaillée	Diode 1200 V 30A Trou traversant TO-247-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	1200 V
Courant - Moyen redressé (Io)	30A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.75 V @ 20 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	200 µA @ 1200 V
Capacité à Vr, F	1220pF à 1V, 100kHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	TO-247-2
Boîtier fournisseur	TO-247-2
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C

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En stock: 579

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	11,67000 €	11,67 €
30	7,08933 €	212,68 €
120	6,08558 €	730,27 €
510	5,90047 €	3 009,24 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.