Name: FDME820NZT
Brand: onsemi
SKU: FDME820NZTTR-ND
Price: 1.356 EUR
Availability: InStock

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FDME820NZT
Numéro de produit DigiKey	FDME820NZTTR-ND - Bande et bobine FDME820NZTCT-ND - Bande coupée (CT) FDME820NZTDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDME820NZT
Description	MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 9 A (Ta) 2,1W (Ta) Montage en surface MicroFet 1,6x1,6 mince
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 9A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	865 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MicroFet 1,6x1,6 mince
Boîtier	6-PowerUFDFN
Numéro de produit de base	FDME820