Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
FDD5N50TM-WS est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Recommandation fabricant
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
Similaire
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
FDD5N50TM-WS | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | FDD5N50TM-WSTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | FDD5N50TM-WS |
Description | MOSFET N-CH 500V 4A DPAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 4 A (Tc) 40W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | FDD5N50TM-WS Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,4ohms à 2A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 640 pF @ 25 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 40W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | TO-252AA | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
France