Name: FDD16AN08A0
Brand: onsemi
SKU: FDD16AN08A0TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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FDD16AN08A0
Numéro de produit DigiKey	FDD16AN08A0TR-ND - Bande et bobine FDD16AN08A0CT-ND - Bande coupée (CT) FDD16AN08A0DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDD16AN08A0
Description	MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 9 A (Ta), 50 A (Tc) 135W (Tc) Montage en surface TO-252AA
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	UltraFET™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9 A (Ta), 50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	16mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	47 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1874 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	135W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252AA
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	FDD16AN08