Name: FDC6561AN
Brand: onsemi
SKU: FDC6561ANTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: InStock

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FDC6561AN
Numéro de produit DigiKey	FDC6561ANTR-ND - Bande et bobine FDC6561ANCT-ND - Bande coupée (CT) FDC6561ANDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDC6561AN
Description	MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 2,5A 700mW Montage en surface SuperSOT™-6
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDC6561AN Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	PowerTrench®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5A
Rds On (max.) à Id, Vgs	95mohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3,2nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	220pF à 15V
Puissance - Max.	700mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Boîtier fournisseur	SuperSOT™-6
Numéro de produit de base	FDC6561

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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