Name: FCMT125N65S3
Brand: onsemi
SKU: FCMT125N65S3OSTR-ND
Price: 5.304 EUR
Availability: InStock

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FCMT125N65S3
Numéro de produit DigiKey	FCMT125N65S3OSTR-ND - Bande et bobine FCMT125N65S3OSCT-ND - Bande coupée (CT) FCMT125N65S3OSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCMT125N65S3
Description	MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 181W (Tc) Montage en surface 4-PQFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FCMT125N65S3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SuperFET® III
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	125mohms à 12A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 590µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1920 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	181W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-PQFN (8x8)
Boîtier	4-PowerTSFN
Numéro de produit de base	FCMT125