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TO-247-3
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FCH099N65S3_F155

Numéro de produit DigiKey
FCH099N65S3_F155-ND
Fabricant
onsemi
Numéro de produit du fabricant
FCH099N65S3_F155
Description
MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
FCH099N65S3_F155 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
onsemi
Série
SuperFET® III
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
99mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2480 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
227W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247-3
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
FCH099
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