FCA76N60N onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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FCA76N60N
Numéro de produit DigiKey	FCA76N60N-ND
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FCA76N60N
Description	MOSFET N-CH 600V 76A TO3PN
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 76 A (Tc) 543W (Tc) Trou traversant TO-3PN
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	SupreMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	76 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	36mohms à 38A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	285 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12385 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	543W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-3PN
Boîtier	TO-3P-3, SC-65-3
Numéro de produit de base	FCA76N60