EMZ1DXV6T1G onsemi | Matrices de transistors bipolaires

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Prix unitaire : 0,36000 €

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EMZ1DXV6T1G
Numéro de produit DigiKey	EMZ1DXV6T1GOS-ND - Bande et bobine
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	EMZ1DXV6T1G
Description	TRANS NPN/PNP 60V 100MA SOT-563
Référence client
Description détaillée	Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices 1 NPN, 1 PNP 60V 100mA 180MHz, 140MHz 500mW Montage en surface SOT-563
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	EMZ1DXV6T1G Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors Bipolaire (BJT) Matrices de transistors bipolaires	Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce 120 à 1mA, 6V
Fabricant onsemi	Puissance - Max. 500mW
Conditionnement Bande et bobine	Fréquence - Transition 180MHz, 140MHz
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP	Type de montage Montage en surface
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 100mA	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) 60V	Boîtier fournisseur SOT-563
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic 400mV à 5mA, 50mA / 500mV à 5mA, 50mA	Numéro de produit de base EMZ1
Courant - Résiduel de collecteur (max.) 500 nA (ICBO)