1SV267-TB-E onsemi | Diodes RF

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1SV267-TB-E
Numéro de produit DigiKey	1SV267-TB-EOSTR-ND - Bande et bobine 1SV267-TB-EOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	1SV267-TB-E
Description	RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP
Référence client
Description détaillée	Diodes - RF PIN - 1 paire connexion série 50V 50 mA 150 mW 3-CP
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	1SV267-TB-E Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Diodes Diodes RF	Capacité à Vr, F 0,23pF à 50V, 1MHz
Fabricant onsemi	Résistance à If, F 2,5ohms à 10mA, 100MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 150 mW
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement 125°C (TJ)
Type de diode PIN - 1 paire connexion série	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension - Crête inverse (max.) 50V	Boîtier fournisseur 3-CP
Courant - Max. 50 mA	Numéro de produit de base 1SV267

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
1SV264-TL-E	onsemi	5 330	1SV264-TL-EOSCT-ND	0,56000 €	Recommandation fabricant
BAT1804E6327HTSA1	Infineon Technologies	337	BAT1804E6327HTSA1CT-ND	0,66000 €	Similaire

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Non annulable/Non remboursable

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Prix unitaire sans TVA:	0,56000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,67200 €

1SV267-TB-E