Recommandation fabricant
Équivalent paramétrique
Similaire

1SV251-TB-E | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1SV251-TB-E-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 1SV251-TB-E |
Description | RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP |
Référence client | |
Description détaillée | Diodes - RF PIN - 1 paire connexion série 50V 50 mA 150 mW 3-CP |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | 1SV251-TB-E Modèles |
Catégorie | Capacité à Vr, F 0,23pF à 50V, 1MHz |
Fabricant onsemi | Résistance à If, F 4,5ohms à 10mA, 100MHz |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 150 mW |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement 125°C (TJ) |
Type de diode PIN - 1 paire connexion série | Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tension - Crête inverse (max.) 50V | Boîtier fournisseur 3-CP |
Courant - Max. 50 mA | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1SV264-TL-E | onsemi | 5 330 | 1SV264-TL-EOSCT-ND | 0,56000 € | Recommandation fabricant |
| 1SV267-TB-E | onsemi | 5 721 | 1SV267-TB-EOSCT-ND | 0,56000 € | Équivalent paramétrique |
| BAT1804E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 337 | BAT1804E6327HTSA1CT-ND | 0,66000 € | Similaire |




