Name: SI4532DY
Brand: onsemi
SKU: SI4532DYTR-ND
Price: 1.584 EUR
Availability: InStock

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SI4532DY
Numéro de produit DigiKey	SI4532DYTR-ND - Bande et bobine SI4532DYCT-ND - Bande coupée (CT) SI4532DYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	SI4532DY
Description	MOSFET N/P-CH 30V 3.9A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 3,9 A, 3,5 A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	Canaux N et P
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,9 A, 3,5 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 3,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	235pF à 10V
Puissance - Max.	900mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Boîtier fournisseur	8-SOIC
Numéro de produit de base	SI4532