Name: IRF7309TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7309PBFTR-ND
Price: 1.644 EUR
Availability: InStock

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IRF7309TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7309PBFTR-ND - Bande et bobine IRF7309PBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7309PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7309TRPBF
Description	MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 4A, 3A 1,4W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7309TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25nC à 4,5V
Série HEXFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 520pF à 15V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Puissance - Max. 1,4W
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Configuration Canaux N et P	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4A, 3A	Numéro de produit de base IRF73
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 2,4A, 10V

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Documents et supports

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine