NTHS5404T1G onsemi | Produits semi-conducteurs discrets

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NTHS5404T1G
Numéro de produit DigiKey	NTHS5404T1GOSTR-ND - Bande et bobine NTHS5404T1GOSCT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	NTHS5404T1G
Description	MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 5,2 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface ChipFET™
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	onsemi
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	5,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	30mohms à 5,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	600mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	18 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	ChipFET™
Boîtier	8-SMD, broches plates
Numéro de produit de base	NTHS5404