RF MOSFET 50 V 100 mA 1,03GHz ~ 1,09GHz 19,2dB 770W NI-780S-4L
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AFV10700HSR5

Numéro de produit DigiKey
568-13637-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AFV10700HSR5
Description
RF MOSFET LDMOS 50V NI780
Référence client
Description détaillée
RF MOSFET 50 V 100 mA 1,03GHz ~ 1,09GHz 19,2dB 770W NI-780S-4L
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Courant nominal (A)
10µA
Fabricant
NXP USA Inc.
Courant - Test
100 mA
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Sortie
770W
Statut du composant
Date de dernière disponibilité
Tension - Nominale
105 V
Technologies
LDMOS
Type de montage
Montage en surface
Configuration
Double
Boîtier
NI-780S-4L
Fréquence
1,03GHz ~ 1,09GHz
Boîtier fournisseur
NI-780S-4L
Gain
19,2dB
Numéro de produit de base
Tension - Test
50 V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Dernière disponibilité
Stock de la marketplace : 591 Afficher
Date de dernière disponibilité : 10/06/2026
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
50615,20800 €30 760,40 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:615,20800 €
Prix unitaire avec TVA:738,24960 €

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