PSMN4R3-100ES,127 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

PSMN4R3-100ES,127 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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onsemi

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Prix unitaire : 4,51000 €

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PSMN4R3-100ES,127
Numéro de produit DigiKey	1727-6500-ND
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN4R3-100ES,127
Description	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 338W (Tc) Trou traversant I2PAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170 nC @ 10 V
Conditionnement Tube	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9900 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 338W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier fournisseur I2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-262-3 broches longues, I2PAK, TO-262AA
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 25A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDI045N10A-F102	onsemi	222	FDI045N10A-F102-ND	4,51000 €	Similaire

Obsolète

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PSMN4R3-100ES,127