Name: PSMN1R1-80CSFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND
Price: 8.508 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

PSMN1R1-80CSFJ
Numéro de produit DigiKey	1727-PSMN1R1-80CSFJTR-ND - Bande et bobine 1727-PSMN1R1-80CSFJCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-PSMN1R1-80CSFJDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN1R1-80CSFJ
Description	NEXTPOWER 80 V, 1.16 MOHM, N-CHA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 400A (Ta) 1,071kW (Tc) Montage en surface CCPAK1212i
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Category Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 206 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 15363 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,071kW (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400A (Ta)	Boîtier fournisseur CCPAK1212i
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V	Boîtier 12-BESOP (0,370po, 9,40mm de largeur), plot exposé
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,16mohms à 25A, 10V