Name: GAN7R0-150LBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND
Price: 4.116 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GAN7R0-150LBEZ
Numéro de produit DigiKey	1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND - Bande et bobine 1727-GAN7R0-150LBEZCT-ND - Bande coupée (CT) 1727-GAN7R0-150LBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	GAN7R0-150LBEZ
Description	150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 28A 28W Montage en surface 3-FCLGA (3,2x2,2)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	GAN7R0-150LBEZ Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 5mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7.6 nC @ 5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +6V, -4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 865 pF @ 85 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 28W
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28A	Boîtier fournisseur 3-FCLGA (3,2x2,2)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V	Boîtier 3-VLGA
Rds On (max.) à Id, Vgs 7mohms à 10A, 5V	Numéro de produit de base GAN7R0