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Équivalent paramétrique

BUK962R6-40E,118 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1727-1095-2-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | BUK962R6-40E,118 |
Description | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 100 A (Tc) 263W (Tc) Montage en surface D2PAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80.6 nC @ 32 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±10V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10285 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 263W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur D2PAK |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 25A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8441 | onsemi | 751 | FDB8441CT-ND | 3,65000 € | Similaire |
| IPB100N04S4H2ATMA1 | Infineon Technologies | 4 978 | IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND | 3,00000 € | Similaire |
| IPB120N04S401ATMA1 | Infineon Technologies | 1 611 | IPB120N04S401ATMA1CT-ND | 3,82000 € | Similaire |
| IPB120N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 1 559 | IPB120N04S402ATMA1CT-ND | 3,46000 € | Similaire |
| IPB90N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | 665 | 448-IPB90N04S402ATMA1CT-ND | 3,26000 € | Similaire |







